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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제5호
발행연도
2006.1
수록면
257 - 261 (5page)

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Nano-structured carbon nitride (CNx) films were prepared by reactive RF magnetron sputtering with a DC bias at various deposition conditions, and the physical and electrical properties were investigated. FTIR spectrum indicated an α-C3N4 peak in the films. The carbon nitride film deposited on Si substrate had a nano-structured surface morphology. The grain size was about 20 nm and the deposition rate was 1.7 mm/hr. When the N2/Ar ratio was 3/7, the level of nitrogen incorporation was 34.3 at%. The film had a low dielectric constant. The metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors that the carbon nitride was deposited as insulators, exhibited a typical C-V characteristics.

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