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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.6
- 수록면
- 648 - 654 (7page)
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본 논문에서는 비 산화물인 불소화합물 게이트절면막을 이용하여 박막반도체 다이아몬드 MIS계면(MetalInsulator-Semiconductor Interface)의 전기적 안정화를 실현하였다. 특히 산소 게터링 효과(Oxygen-Gettering Effect)에 의한 표면준위 억제를 통해, 박막반도체 다이아몬드 MIS계면에 있어서 최적의 전기적 특성을 부여하는 BaF2 게이트절연막을 개발하였다. 본 논문의 결과에 의하면, BaF₂게이트 절연막을 이용하여 제작한 Al/BaF2/diamond MIS 다이오드와 MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor)로부터 저농도의 ～1010/㎠ eV의 표면준위밀도가 관측되었고, 그리고 이제까지 발표된 다이아몬드 박막반도체 FET중 최고치인 400 ㎠/Vs의 유효이동도가 관찰되었다.
목차
요 약
Abstract
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 본 론
Ⅲ. 결 론
참 고 문 헌
참고문헌 (0)
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