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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 476 - 480 (5page)
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The characteristics of antimony implants are relatively well-known. Antimony has lower diffusion coefficient, shorter implantation range, and smaller scattering as compared with conventional dopants such as phosphorous and arsenic. It has been commonly used in the doping of buried layer in Bi-CMOS process. In this paper, characteristics and appropriate condition of monitoring in antimony implant beam tuning using Sb2O3 were investigated to get a reliable process. TW(Thema Wave) and Rs(Sheet Resistance) test were carried out to set up condition of monitoring for stable operation through the periodic inspection of instruction condition. The monitoring was progressed at the point that the slant of Rs varied significantly to investigate the variation of instruction accurately.
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/ 1971. / Free Energy of Formation of Binary Compounds
/ 1993. / Annealing charcteristics of through-oxide phosphorus ion-implanted Si 31 (2) : 162 ~
/ 1996. / Low resistive ultra shallow junction for sub 0.1 μm MOSFETs formed by Sb implantation : 579 ~
/ 1996. / Process performance of SDS, high pressure hydrides and solid vaporizer feed materials on a 9500×R ion implanter : 307 ~
/ 1998. / Novel species implantation using Applied Materials 9500×RTM and ×R LEAPTM implanters 1 : 358 ~
/ 1993. / Annealing charcteristics of through-oxide phosphorus ion-implanted Si 31 (2) : 162 ~
/ 1996. / Low resistive ultra shallow junction for sub 0.1 μm MOSFETs formed by Sb implantation : 579 ~
/ 1996. / Process performance of SDS, high pressure hydrides and solid vaporizer feed materials on a 9500×R ion implanter : 307 ~
/ 1998. / Novel species implantation using Applied Materials 9500×RTM and ×R LEAPTM implanters 1 : 358 ~
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