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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제7호
발행연도
2003.1
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HgGa2S4:Co2+ single crystal were grown by the chemical transport reaction(CTR) method. In the optical absorption spectrum of the HgGa2S4:Co2+ single crystal measured at 298K, three groups of impurity optical absorption peaks consisting of three peaks, respectively, were observed at 673nm, 734nm, and 760nm, 1621nm, 1654nm, and 1734nm, and 2544nm, 2650nm, and 2678nm. At 10K, the three peaks(673nm, 734nm, and 760nm) of the first group were split to be twelve peaks. These impurity optical absorption peaks are assigned to be due to the electronic transitions between the split energy levels of Co2+ sited in the S4 symmetry point.
#Chemical transport reaction #Optical absorption #Electronic transitions #HgGa2S4 #Symmetry point

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