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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제4호
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2003.1
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In this study, the structural properties were investigated for the deposited (Ba,Sr)(Nb,Ti)O3 [BSNT] thin films grown on Pt/TiO2/SiO2/Si substrate by RF sputtering method. The structural properties of the BSNT thin films affected by the Ar/O2 rates were investigated. In the case of the BSNT thin films deposited with condition of 60/40(Ar/O2) ratio, the BaTiO3, SrTiO3 and BaNbO3 phases were showed. The composition ratio of Nb and Ti in the BSNT thin films were nearly equivalent. Also, in the BSNT thin films deposited with condition of 60/40 and 80/20(Ar/O2) ratios, the composition of Ba, Sr, Nb and Ti were relatively uniform. The Ba, Sr, Nb and Ti in the BSTN thin films were not diffused into the Pt layer.

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