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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제3호
발행연도
2003.1
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The (Ba,Bi,Sr)TiO3[BBST] thin films were fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by RF sputtering method. The effects of Ar/O2 ratio on the structural and dielectric properties of BBST thin fillms were investigated. Increasing the Ar/O2 ratio, the intensity of BaBi4Ti4O15 and Bi4Ti3O12 peaks were increased but (Ba0.5Sr0.5)TiO3 peak was decreased. In the BBST thin films deposited with condition of Ar/O2(90/10) ratio, the composition ratio of the Ba, Bi and Sr atoms were 0.35, 0.25 and 0.4 respectively. The Bi and Ti atoms were diffused into the Pt layers. Increasing the Ar/O2 ratio, the dielectric constant of the BBST thin films were increased but the dielectric loss of the BBST thin films were decreased. The dielectric constant and dielectric loss of the BBST deposited at 90/10 of Ar/O2 ratio were 319 and 2.2%, respectively. Increasing the applied voltage, the capacitance of the BBST thin films were decreased.
#Ba #Bi #Sr)TiO3[BBST] Thin films #Ar/O2 ratio #Structural properties #Dielectric properties

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