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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제10호
발행연도
2004.1
수록면
1,029 - 1,033 (5page)

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In this paper, we propose a new Suppressed Sidewall Injection Magnetotransistor(SSIMT) architecture, which allows to overcome the restriction of the standard CMOS technology and achieve high linearity. The proposed SSIMT is designed based on the Hynix 0.6 ㎛ standard CMOS technology. The fabricated SSIMT has been experimentally verified. The SSIMT shows that the change of collector current is extremely linear as a function of the magnetic induction at IB = 500㎂, VCE = 2V and VSE = 5 V. The relative sensitivity is up to 120 %/T. The magnetic conversion offset is about 79 mT with 30.5 %/T relative sensitivity. The nonlinearity of the fabricated SSIMT is measured about 1.4 %.

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