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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 673 - 679 (7page)
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A sublimation method using the SiC seed crystal and SiC powder as the source material is commonly adopted to grow SiC bulk single crystal. However, it has proved to be difficult to achieve the high quality crystal and the process reliability because SiC single crystal should be grown at very high temperature in closed system. In this study, SiC crystal boules were prepared with different angles in trapezoid-shaped graphite seed holders using sublimation physical vapor transport technique (PVT) and then their crystal quality was systematically investigated. The temperature distribution in the growth system and the crystal shape were varied with angles in trapezoid-shaped graphite seed holders, which was successfully simulated using "Virtual Reactor". The SiC polytype proved to be the n-type 6H-SiC from the typical absorption spectrum of SiC crystal. The micropipe densities of SiC wafers in this study were measured to be < 100 /cm2. Consequently, SiC single crystal with large diameter was successfully achieved with changing angle in trapezoid-shaped graphite seed holders.
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참고문헌 (6)
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/ 1995. / 6H-SiC bulk 단결정 성장 양상과 micropipe에 관한 연구 5 (1) : 44 ~
/ 2002. / Determination of charge carrier concentration in n- and p-doped SiC based on optical absorption measurements 80 (1) : 70 ~
/ 2002. / SiC 단결정 성장 기술 15 (6) : 3 ~
/ 2002. / 정보전자에너지첨단소재 기술개발 청색 LD 광원용 GaN 후막단결정 기판 개발 및 산업화 기술
/ 2003. / Determination of doping levels and their distribution in SiC by optical techniques 102 (1) : 262 ~
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/ 2002. / SiC 단결정 성장 기술 15 (6) : 3 ~
/ 2002. / 정보전자에너지첨단소재 기술개발 청색 LD 광원용 GaN 후막단결정 기판 개발 및 산업화 기술
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