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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제9호
발행연도
2004.1
수록면
988 - 993 (6page)

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Luminescence characteristics of Ag-doped ZnO as the quantum dot materials to increasing the efficiency on dye-sensitized solar cells (DSC) have been studied. Ag doped ZnO powder was produced by the self-sustaining combustion process using ultrasonic spraying heating method. Luminescence wavelength region of the ZnO by Ag doping was shifted to longer wavelength. In the case of the Ag doped ZnO powder, broad luminescence spectrum centered on 600nm was observed. On the other hand, we compared PL data of RTA treated ZnO:Ag film at various temperatures because the front electrode of solar cell was in need of the sintering process. In XRD and PL data for RTA treated film at the 500 ℃ showed good property. And, it was found that the grain size wasn't growing but only optical property was changed. According to the result of XRD, PL, absorption, emission spectrum and DV-Xα used in theoretical calculation, it is considered to be possible to use Ag doped ZnO as quantum dot material for improving DSC efficiency.
#Ag doped ZnO #Quantum dot #Dye-sensitized solar cell #PL

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/ 1976 / Molecular cluster theory for dechemisorp- tion of first raw atoms on nickel (100) surfaces 58 : 496 ~ google schola / 1978. / Application to Metal Clusters 45 : 875 ~ google schola / 1993 / Microstructural characterization of nanocrystals of ZnO and CuO obtained from basic salts 63 : 442 ~ google schola / 1995. / Potential- Dependent Electron Injection in Nanoporous Colloidal ZnO Films 99 : 14096 ~ google schola / 1998. / Source of the Yellow luminescence band in GaN by gas-source molecular beam epitaxy and the green luminescence band in single crystal ZnO 10-6 (10) : 701 ~ google schola

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