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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 178 - 183 (6page)
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PZT thin film was known to be a representative for the FeRAM devices because of its good ferroelectric properties and the ease in fabricating the thin film. However, there have been several problems such as polarization fatigue and leakage current in memory devices with a PZT thin film. In this study, Sm-doped PZT thin films were fabricated by the sol-gel method, and their ferroelectric and dielectric properties were compared as a function of Sm content. We investigated the effect of the Sm dopant on structural and electrical properties of PZT film. Sm-doped PZT thin films on the Pt/Ti/SiO2/Si substrates have been prepared by a sol-gel method. The remanent polarization and coercive field decreased with increasing the concentration of Sm. The dielectric constant and dielectric loss decreased with increasing Sm content. Sm-doped PZT thin films showed improved fatigue characteristics compared to the undoped PZT thin film.
목차
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/ 1991. / Ferroelectric materials and their applications : 135 ~
/ 1994. / Characteristic change due to polarization fatigue of sol-gel ferroelectric Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 thin-film capacitors 33 : 5281 ~
/ 1994. / Polarization fatigue characteristics of sol-gel ferroelectric Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3 thin film capacitors 33 : 3996 ~
/ 1994. / Sol-Gel 법에 의한 강유전체 Pb(Zr,Ti)O3의 제조 및 특성에 관한 연구 7 (6) : 496 ~
/ 1994. / 강유전체 박막의 제조기술 및 응용 7 (5) : 431 ~
/ 1994. / Characteristic change due to polarization fatigue of sol-gel ferroelectric Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 thin-film capacitors 33 : 5281 ~
/ 1994. / Polarization fatigue characteristics of sol-gel ferroelectric Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3 thin film capacitors 33 : 3996 ~
/ 1994. / Sol-Gel 법에 의한 강유전체 Pb(Zr,Ti)O3의 제조 및 특성에 관한 연구 7 (6) : 496 ~
/ 1994. / 강유전체 박막의 제조기술 및 응용 7 (5) : 431 ~
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