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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 1,101 - 1,105 (5page)
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We have investigated the optical properties of Erbium (Er)-implanted GaN by photoluminescence (PL). Various doses of Er ion were implanted on GaN epilayers by ion implantation. Visible green emission lines due to inner 4f shell transitions for Er3+ were observed from the PL spectrum of Er-implanted GaN. The emission spectrum consists of two narrow green lines at 537 and 558 nm. The green emission lines are identified as Er3+ transitions from the 5H11/2 and 4S3/2 levels to the 4I15/2 ground state. The stronger peaks in the case with the dose of , together with the relatively higher intensity of the Er3+ luminescence in the lower doped sample. It implies that some damage remains in the case with the dose of . The peak positions of emission lines due to inner 4f shell transitions for Er3+ do not change with increasing temperature. It indicates that Er3+ related emission depends very little on the ambient temperature.
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참고문헌 (14)
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/ 1993. / Kinetics of luminescence of isoelectronic rare-earth ions in III-V semiconductors 48 (24) : 17758 ~
/ 1997. / Observation of multiple Er3+ sites in Er-implanted GaN by site-selective photoluminescence excitation spectroscopy 71 (2) : 231 ~
/ 1997. / Photo- luminescence excitation measurements on erbium implanted GaN 82 (4) : 1824 ~
/ 1999. / Blue emission from Tm-doped GaN electroluminescent devices 75 (15) : 2184 ~
/ 1999. / Red light emission by photoluminescence and electro luminescence from Eu-doped GaN 75 (9) : 1189 ~
/ 1997. / Observation of multiple Er3+ sites in Er-implanted GaN by site-selective photoluminescence excitation spectroscopy 71 (2) : 231 ~
/ 1997. / Photo- luminescence excitation measurements on erbium implanted GaN 82 (4) : 1824 ~
/ 1999. / Blue emission from Tm-doped GaN electroluminescent devices 75 (15) : 2184 ~
/ 1999. / Red light emission by photoluminescence and electro luminescence from Eu-doped GaN 75 (9) : 1189 ~
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