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- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.1
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Photoluminescence (PL) and photoluminescence excitation (PLE) spectroscopy have been performed at 6 K on the 1540 nm 4I13/2→4I15/2 emission of Er3+ in in situ Er-doped GaN. The PL and PLE spectra of in situ Er-doped GaN are compared with those of Er-implanted GaN in this study. The lineshapes of the broad PLE absorption bands and the broad PL bands in the spectra of the in situ Er-doped GaN are similar to those in Er-doped glass rather than in the Er-implanted GaN. The PL spectra of this in situ Er-doped GaN are independent of excitation wavelength and their features are significantly different from the site-selective PL spectra of the Er-implanted GaN. These PL and PLE studies reveal that a single type of Er3+ sites is present in the in situ Er-doped GaN and these Er sites are different from those observed in the Er-implanted GaN. In addition, the comparison of the PL signal strength illustrates that the excitation of Er3+ sites in the in situ Er-doped GaN is less efficient than the trap-mediated excitation of Er3+ sites through the energy absorption of defects in Er-implanted GaN.
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