지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 582 - 586 (5page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
We have grown GaN layers with in-situ SiN mask by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and study the physical properties of the GaN layer. We have also investigate the effect of the SiN mask on its optical property. By inserting a SiN mask, (102) the full width at half maximum (FWHM) decreased from 480 arcsec to 409 arcsec and threading dislocation (TD) density decreased from 3.21×109 cm-2 to 9.7×108 cm-2. The PL intensity of GaN with SiN mask improved 2 times to that without SiN mask. We have thus shown that the SiN mask improved significantly the physical and optical properties of the GaN layer.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
/ 1986. / Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer 48 (5) : 353 ~
/ 1997. / Correlation of cathodoluminescence inhomogeneity with microstructural defects in epitaxial GaN grown by metalorganic chemical-vapor deposition 70 (4) : 420 ~
/ 1997. / The Blue Laser Diode GaN Based Light Emitters and Lasers : 163 ~
/ 1997. / Thick GaN epitaxial growth with low dislocation density by hydride vapor phase epitaxy 36 (7b) : 899 ~
/ 1998. / GaN based transistors for high power applications (12) : 2131 ~
/ 1997. / Correlation of cathodoluminescence inhomogeneity with microstructural defects in epitaxial GaN grown by metalorganic chemical-vapor deposition 70 (4) : 420 ~
/ 1997. / The Blue Laser Diode GaN Based Light Emitters and Lasers : 163 ~
/ 1997. / Thick GaN epitaxial growth with low dislocation density by hydride vapor phase epitaxy 36 (7b) : 899 ~
/ 1998. / GaN based transistors for high power applications (12) : 2131 ~
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
In-situ SiN 박막을 이용하여 성장한 GaN 박막 및LED 소자 특성 연구
전기전자재료학회논문지
2005 .01
-
GaN 식각 mask로 Fe₂O₃의 응용에 관한 연구
한국표면공학회 학술발표회 초록집
1999 .05
-
In-situ SiN 절연막을 이용한 GaN-on-SiC 전력반도체 소자
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
-
Micro Gas Sensor의 Membrane용 $SiN_x$막과 $SiN_x/SiO_x/SiN_x$막의 응력과 굴절율
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
-
MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2008 .01
-
HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxiy) 성장법으로 Ti metal mask를 이용한 GaN 성장연구
전자공학회논문지-IE
2011 .06
-
Efficient Masked Implementation for SEED Based on Combined Masking
[ETRI] ETRI Journal
2011 .04
-
Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
Mask 제작기술
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
-
테스트 결과값 분석을 통한 부분적 X-Masking 방법
대한전자공학회 학술대회
2017 .06
-
Micro Gas Sensor의 Membrane용 ${SiN}_{x}$막과 ${SiN}_{x}/\textrm{SiO}_{x}/{SiN}_{x}$막의 응력과 굴절율
한국재료학회지
1997 .01
-
GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
-
GaN 청색 레이저 소자 제조를 위한 Cr/Si$O_{2}$ 식각 mask 제조
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
-
처짐저감을 위한 OLED 증착 마스크-프레임 구조체
한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회
2007 .01
-
Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
-
Development of Cost-Effective and High-Property Mask in Flatron
Journal of information display
2001 .01
-
Development of a Design Process for an Oxygen Mask based on 3D Face Scanning
대한인간공학회 학술대회논문집
2011 .05
-
Development of a Design Process for an Oxygen Mask based on 3D Face Scanning
대한인간공학회 학술대회논문집
2011 .05
-
SiN 박막을 이용한 Si Nanodot의 형성
공업화학
2005 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0