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This paper describes a novel processing technique for fabrication of polymer-derived SiCN (silicone carbonitride) microstructures for super-temperature MEMS applications. PDMS (polydimethylsiloxane) mold is fabricated on SU-8 photoresist using standard UV photolithographic process. Liquid precursor is injected into the PDMS mold. Finally, solid polymer structure is cross-linked using HIP (hot isostatic pressure) at 400oC, 205bar. Optimum pyrolysis and annealing conditions are determined to form a ceramic microstructure capable of withstanding over 1400oC. The fabricated SiCN ceramic microstructure has excellent characteristics, such as shear strength (15.2N), insulation resistance (2.1631014 ) and BDV (min. 1.2kV) under optimum process condition. These fabricated SiCN ceramic microstructures have greater electric and physical characteristics than bulk Si wafer. The fabricated SiCN microstructures would be applied for super-temperature MEMS applications such as heat exchanger and combustion chamber.
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/ 1993. / Thin SOI structures for sensing and integrated circuit applications 39 : 241 ~ 251
/ 1998. / Amorphous siliconboron carbonitride ceramics with anomalously high resistance to creep 81 : 3341 ~ 3344
/ 1998. / Silicon carbide MEMS for harsh environments 86 (8) : 1594 ~ 1609
/ 2000. / Sliazane derived ceramics and related materials 26 : 97 ~ 199
/ 2001. / Fabrication of SiCN ceramic MEMS using inectable polymer-precursor technique 89 : 64 ~ 70
/ 1998. / Amorphous siliconboron carbonitride ceramics with anomalously high resistance to creep 81 : 3341 ~ 3344
/ 1998. / Silicon carbide MEMS for harsh environments 86 (8) : 1594 ~ 1609
/ 2000. / Sliazane derived ceramics and related materials 26 : 97 ~ 199
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