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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
사단법인 한국위성정보통신학회 한국위성정보통신학회논문지 한국위성정보통신학회논문지 제9권 제2호
발행연도
2014.1
수록면
12 - 17 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2023

확장된 드레인을 갖는 EDNMOS 정전기 보호 소자의 최적 이온주입량 결정을 위한 설계 방법론
서용진 전자공학회논문지 2023.10 학술저널

2014

DPS(Double Polarity Source) 구조를 갖는 고전압 동작용EDNMOS 소자의 정전기 보호 성능 개선
서용진 ,  양준원 한국위성정보통신학회논문지 2014.01 학술저널

2006

정전기보호를 위한 이중극성 소스를 갖는 EDNMOS소자의 특성
서용진 ,  김길호 ,  박성우 외 5명 대한전기학회 학술대회 논문집 2006.10 학술대회자료
정전기 보호를 위한 n형 SCR 소자의 래치업 특성
서용진 ,  김길호 ,  이우선 대한전기학회 학술대회 논문집 2006.07 학술대회자료
NED-SCR 정전기보호소자의 특성
서용진 ,  김길호 ,  이우선 대한전기학회 학술대회 논문집 2006.07 학술대회자료

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본 논문에서는 고전압에서 동작하는 마이크로칩의 안정하고 튼튼한 정전기 보호 성능을 구현하기 위해 이중 극성 소오스를 갖는DPS_EDNMOS 변형소자가 제안되었다. 제안된 DPS는 N+ 소오스로 부터 전자 풍부 영역이 측면 확산되는 것을 방지하기 위해N+ 소오스 측에 P+ 확산층을 의도적으로 삽입한 구조이다. 시뮬레이션 결과에 의하면 삽입된 P+ 확산층은 고전자 주입에 의해 발생하는 깊은 전자채널의 형성을 효과적으로 막아주고 있음을 알 수 있었다. 따라서 종래의 EDNMOS 표준소자에서 문제시 되었던더블 스냅백 현상을 해결할 수 있었다.
#ESD #Electrostatic discharge) #EDNMOS #Extended Drain N-type MOSFET) #DPS #Double Polarity Source) #Double Snapback #Channel Blocking

목차

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참고문헌 (17)

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B. C. Jeon / 2002 / ESD characterization of grounded-gate NMOS with 0. 35um/18V technology employing transmission line pulser(TLP)test / Proc. EOS/ESD Symp : 362 ~ 372 google schola B. Keppens / 2004 / ESD protection solutions for high voltage technologies / Proc. EOS/ESD Symp : 289 ~ 298 google schola C. Duvvury / 1997 / Lateral DMOS design for ESD robustness / IEDM Tech. Dig. : 375 ~ 378 google schola G. Bosselli / 1999 / Investigations on double diffused MOS (DMOS)transistors under ESD zap conditions / Proc. EOS/ESD Symp : 11 ~ 18 google schola K. H. Kim / 2004 / Illumination of double snapback mechanism in high voltage operating grounded gate extended drain n-type metal-oxide-semiconductor field effects transistor google schola

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