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Si CMOS 공정을 사용하여 소형의 RFID 태그 안테나를 Si 기판위에 구현하고 그 전기적 특성을 평가하였다. HFSS 전자계 시뮬레이터를 사용하여 13.56MHz 주파수 대역에서 마이크로스트립 선폭 및 선간격을 50~200㎛ 영역에서 조절하면서 안테나 패턴을 설계하였다. S 파라메터, 자기공진주파수 및 Q 값을 시뮬레이션으로부터 도출하였다. 마이크로스트립 선폭 및 선간격이 각각 100㎛ 인 10턴의 안테나에서 자기공진주파수는 80MHz 정도이며 Q 값은 9 정도로 계산되었다. Si 기판 태그의 마이크로스트립 안테나는 DC 스퍼터링 공정에 의해 Al 2㎛를 증착하여 구현하였다. 리더-태그를 밀착시킨 조건에서 태그 안테나 루프에서는 약 4.3V의 전압이 검출되었다.

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