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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 35 - 39 (5page)
이용수
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반도체센서의 응력에 따른 전기적 특성을 프로브 스테이션 위에서 측정하기 위해 소형 4점 굽힘 장치를 개발하였다. 4점 굽힘 장치는 60×83 mm2의 면적을 갖는 소형 장치로 마이크로미터를 통해 정확한 변위를 인가함으로서 가해진 응력을 구할 수 있다. 유한요소해석법을 사용하여 기기의 오차를 예측하고 정밀도를 향상하였다. 실험적으로는 4점 굽힘 장치로 인가된 응력을 검증하기 위해 스트레인 게이지로 검증하였다.
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참고문헌 (8)
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A.A. Barlian / 2009 / Review: semiconductor piezoresistance for microsystems / Proc. IEEE 97 : 513 ~
E. Lund / 2004 / Design and construction of a fourpoint bending based set-up for measurement of piezoresistance in semiconductors / Rev. Sci. Instrum 75 : 4960 ~
H Chung / 2008 / Caibrate MOSFET Micro-Stress Sensors for Electronic Packaging / Proc. Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), Singapore 650
M.A. Hopcroft / 2010 / What is the Young’s Modulus of Silicon? / J. Microelectromech S 19 (2) : 229 ~
R.E. Beaty / 1992 / Evaluation of piezoresistive coefficient variation in silicon stress sensors using a four-point bending test fixture / IEEE Trans. Compd. Hybrids Manuf. T
E. Lund / 2004 / Design and construction of a fourpoint bending based set-up for measurement of piezoresistance in semiconductors / Rev. Sci. Instrum 75 : 4960 ~
H Chung / 2008 / Caibrate MOSFET Micro-Stress Sensors for Electronic Packaging / Proc. Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), Singapore 650
M.A. Hopcroft / 2010 / What is the Young’s Modulus of Silicon? / J. Microelectromech S 19 (2) : 229 ~
R.E. Beaty / 1992 / Evaluation of piezoresistive coefficient variation in silicon stress sensors using a four-point bending test fixture / IEEE Trans. Compd. Hybrids Manuf. T
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