Via-hole 구조의 n-접합을 갖는 수직형 발광 다이오드 전극 설계에 관한 연구

박준범; 박형조; 정탁; 강성주; 하준석; 임시종

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박준범 박형조 정탁 강성주 하준석 임시종

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제22권 제4호

발행연도: 2015.1

수록면: 71 - 76 (6page)

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최근 Light Emitting Diode (LED)의 효율을 높이기 위한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 특히 소자 측면에서는 수평형 LED, 수직형 LED, via-hole 구조의 수직형 LED 등의 다양한 구조가 제시되었다. 본 논문에서는 시뮬레이션을 통해 via-hole 구조의 수직형 LED의 새로운 전극 디자인을 제시하였다. 기존 Via-hole 구조의 수직형 LED의 n-contact hole 주변에 전류가 밀집되는 문제점을 해결하면서 유효 발광면적을 극대화 시켜 소자 전체에 균일한 전류를 주입할 수있는 소자 디자인에 대해 평가하였다. 시뮬레이션 결과를 바탕으로 최적의 전극 디자인을 실제 디바이스로 제작하여 기존의 via-hole 구조의 수직형 LED와 비교 분석하였다. 최적화된 디자인이 적용된 via hole type 수직형 LED의 경우 기존 디자인에 비해 350 mA 주입시 약 0.2 V의 Forward Voltage 감소하였지만 광 출력은 비슷하여 최종적으로 4.2%의WPE (Wall plug efficiency)가 향상됨을 보였다.

#수직형 LED #Light Emitting Diode #Via-hole #Current density #Wall plug efficiency

참고문헌 (18)

참고문헌 신청

A. Mills / 2006 / Strategies in Light 2006: record LED sales but price erosion / III-Vs Review 19 (3) : 35 ~

H. S. Kim / 2007 / Design of high-efficiency GaN-based light emitting diodes with vertical injection geometry / Appl. Phys. Lett 91 : 023510 ~

H. S. Kim / 2008 / Electrical characteristics of contacts to thin film N-polar n-type GaN / Appl. Phys. Lett 93 : 192106 ~

H. W. Jang / 2002 / Characterization of band bendings on Ga-face and N-face GaN films grown by metalorganic chemical-vapor deposition / Appl. Phys. Lett 80 (21) : 3955 ~

J. B. Park / 2014 / Study on the electrode design for new structure of vertical LED using via-hole n-contact / Chonnam National University

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