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자료유형
학술저널
저자정보
김은진 (단국대학교 화학공학과) 김지민 (단국대학교 화학공학과) 장수환 (단국대학교 화학공학과)
저널정보
한국화학공학회 화학공학 화학공학 제54권 제2호
발행연도
2016.1
수록면
274 - 277 (4page)

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녹색 발광다이오드의 다양자우물층과 전자막이층 사이에 p형 중간층 삽입이 소자의 특성에 미치는 영향이 소자 시뮬레이션을 통하여 연구되었다. 중간층의 Mg 도핑 깊이에 따른 발광다이오드의 전류-전압, 발광파장, 누설전류, 광효율 특성이 분석되었으며 최적의 발광 특성을 나타내는 소자 구조가 제시되었다. 중간층 전 영역이 p형으로 도핑된 구조와 30 nm까지 도핑된 구조는 누설전류 억제를 통하여 녹색 발광다이오드의 가장 큰 문제점 중에 하나인 효율 드룹 현상을 효과적으로 완화하였다. 특히, 30 nm까지 도핑된 구조는 전류-전압 및 발광 특성에 있어서 가장 향상된 결과를 보였다.
#Light Emitting Diode #GaN #Efficiency Droop

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