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자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제11권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
63 - 70 (8page)

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The structural, electrical properties of (Ba, Sr)TiO3[BSTO]/RuO2 thin films were examined by the addition of amorphous BSTO layer between crystlline BSTO film and RuO2 substrate. We prepared BSTO films with double-layered structure, that is, amorphous layers deposited at 60C and crystalline films. Crystalline films were prepared at 550 on amorphous BSTO layer. The thickness of the amorphous layers was varied from 0 to 170 nm. During the deposition of crystalline films, the crystallization of the amorphous layers occurred and the structure was changed to circular while crystalline BSTO films showed columnar structure. Due to insufficient annealing effect, amorphous BSTO phase was observed when the thickness of the amorphous layers exceeded 30 nm. Amorphous BSTO layer could also prevent the formation of oxygen deficient region in RuO2 surface. Leakage current of total BSTO films decreased with increasing amorphous layer thickness due to structural modifications. Dielectric constant showed maximum value of 343 when amorphous layer thickness was 30 nm at which the improvement by grain growth and the degradation by amorphous phase were balanced.
#BST #Capacitor #Amorphous

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/ 1990 / Topics in electronic Ceramics 25 (5) : 935 ~ google schola / 1991 / in Extended abstracts of the International Conference on Solid State Devices and Materials : 189 ~ google schola / 1992 / Electrical Properties of Sr TiO3 thin films by rf sputtering google schola / 1993 / Analysis of the Resistance of ST Films google schola / 1993 / Thin Films by RF Magnetron Sputtering and mnu (shita) google schola

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