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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국자기공명학회 Journal of the Korean Magnetic Resonance Society Journal of the Korean Magnetic Resonance Society 제12권 제2호
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 74 - 80 (7page)
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The local structure of defects in undoped, Si-doped, and neutron irradiated free standing GaN bulk crystals, grown by hydride vapor phase epitaxy, has been investigated by employing electron magnetic resonance(EMR), Raman scattering and cathodoluminescence. The GaN samples were irradiated to a dose of 2 x 1017 neutrons in an atomic reactor at Korea Atomic Energy Research Institute. There was no appreciable change in the Raman spectra for undoped GaN samples before and after neutron irradiation. However, a forbidden transition, A1(TO) mode, appeared for a neutron irradiated Si-doped GaN crystal. Cathodoluminescence spectrum for the neutron irradiated Si-doped GaN crystal became much broader or was much more broadened than that for the unirradiated one. The observed EMR center with the g value of 1.952 in a neutron irradiated Si-doped GaN may be assigned to a Si-related complex donor.
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