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기계적 강도가 우수한 부분안정화 지르코니아(3 mol% Yttria Partially Stabilized Zirconia) 세라믹스의 정전기 방지를 목적으로 LSM 복합 세라믹을 제조하는 과정에서 소결체 표면에서 란타늄산화물을 주조성으로 하는 나노로드의 성장을 확인하였다. 성장조건에 따라 나노로드의 직경 및 종횡비가 크게 변화하였으며, 광학현미경으로 관찰한 결과 입사광의집속현상으로 밝게 빛나는 나노로드를 확인하였다. SEM 및 TEM으로 관찰한 결과, La를 주성분으로 하며 Sr, Mn 그리고Si 등이 미량 첨가된 산화물임을 확인하였고, 이들의 외형으로부터 결정상이 잘 발달된 것을 확인하였다.
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S. S. Kale / 2005 / Characterization of spray-deposited lanthanum oxide(La2O3)thin films / Mater. Lett 59:3007
Y. H. Wu / 2008 / Electrical characteristics of high quality La2O3gate dielectric with equivalent oxide thickness of 5 Å / IEEE Elecrton Device Lett 21:341
W. C. Koehler / 1953 / Neutron-diffraction study of the structure of the A-form of the rare earth sesquioxides / Acta Cryst 6:741
G. He / 2012 / High-K Gate Dielectric for CMOS Technology / Wiley-VCH :185
G. Stochniol / 1995 / Chemical compatibility between strontium-doped lanthanum manganite and yttria-stabilized zirconia / J. Am. Ceram. Soc 78:929
Y. H. Wu / 2008 / Electrical characteristics of high quality La2O3gate dielectric with equivalent oxide thickness of 5 Å / IEEE Elecrton Device Lett 21:341
W. C. Koehler / 1953 / Neutron-diffraction study of the structure of the A-form of the rare earth sesquioxides / Acta Cryst 6:741
G. He / 2012 / High-K Gate Dielectric for CMOS Technology / Wiley-VCH :185
G. Stochniol / 1995 / Chemical compatibility between strontium-doped lanthanum manganite and yttria-stabilized zirconia / J. Am. Ceram. Soc 78:929
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