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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제26권 제3호
발행연도
2016.1
수록면
121 - 125 (5page)

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The effect of temperature and pressure in the nitrogen ambient furnace on bulk micro defect (BMD) and denuded zone (Dz) is experimentally investigated. It is found that as pressure increases, Dz depth increases with a small decrease of BMD density in the range of temperature, 100~300 o C. BMD density with hot isostatic pressure treatment (HIP) at temperature of 850 o C is higher than that without HIP while Dz depth is lower due to much higher BMD density. As the pressure increases, BMD density is increased and saturated to a critical value, and Dz depth increases even if BMD density is saturated. The concentration of nitrogen increases near the surface with increasing pressure, and the peak of the concentration moves closer to the surface. The nitrogen is gathered near the surface, and does not become in-diffusion to the bulk of the wafer. The silicon nitride layer near the surface prevents to inject the additional nitrogen into the bulk of the wafer across the layer. The nitrogen does not affect the formation of BMD. On the other hand, the oxygen is moved into the bulk of the wafer by increasing pressure. Dz depth from the surface is extended into the bulk because the nuclei of BMD move into the bulk of the wafer.
#Bulk micro defect #Denuded zone #Nitrogen ambient furnace #Silicon wafer

목차

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