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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.5
- 수록면
- 2,146 - 2,152 (7page)
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High-voltage silicon carbide (SiC) power devices offer a variety of benefits for power electronic systems including high power density, reliability at high temperature, and low losses. However, fast switching results in high dv/dt and di/dt that interact with parasitics and generate electromagnetic interference (EMI) as well as voltage overshoot. The multi-level turn-off (MLTO) active gate driver is proposed as a solution to address the EMI issues by actively balancing the switching speed and power losses. This paper provides a comparison between the MLTO and the conventional turn-off (CTO) drivers and gives guidance for optimizing the design for the MLTO driver. The comparison is carried out through analyzing the switching model of SiC MOSFET under MLTO and CTO. Additionally, the experimental double pulse tests (DPTs) are performed to compare the performance of the two drivers.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. THEORETICAL SWITCHING MODEL AND ANALYSIS
III. EXPERIMENTAL RESULTS
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
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