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저자정보
A. Lauer (Karlsruhe Institute of Technology) H. Niakan (University of North Carolina at Charlotte) M. Hiller (Karlsruhe Institute of Technology) B. Parkhideh (University of North Carolina at Charlotte)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2019-ECCE Asia
발행연도
2019.5
수록면
899 - 904 (6page)

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On the recent advancements in current sensor field, single chip contactless current sensors enable the end users to efficiently monitor the switching current in modern power electronics systems. This work further investigates a novel low-cost measurement technique based on Magnetoresistive (MR) sensors. The process uses a single current sensing unit, measuring the current mismatch between the two parallel Gallium Nitride (GaN) MOSFETs, which would be used for prognostic and protection purposes. The magnetic field distribution analysis of GaN devices in switching converter is investigated using FEA simulations, in order to optimize the MR sensor location. The experimental results verify the sensitivity and linearity of the sensing unit up to 20 A of current mismatch.
#Current measurement #GaN HEMTs #magneto-resistor #two-dimensional electron gas (2DEG) #wide bandgap

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. TECHNICAL WORK
III. CONCLUSIONS
REFERENCES

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