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김현규 (성균관대학교) 임원섭 (성균관대학교) 강현욱 (성균관대학교) 이우석 (성균관대학교) 오성재 (성균관대학교) 오한식 (성균관대학교) 양영구 (성균관대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第30卷 第2號(通卷 第261號)
발행연도
2019.2
수록면
104 - 110 (7page)

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본 논문에서는 long term evolution(LTE) 통신을 위한 900 MHz 대역에서 동작하는 CMOS 전력증폭기 집적회로 설계결과를 제시한다. 출력단에서의 적은 손실을 위해 트랜스포머를 이용한 출력 정합 회로가 printed circuit board(PCB) 상에 구현되었다. 동시에, 2차 고조파 임피던스의 조정을 통해 전력증폭기의 고효율 동작을 달성하였다. 전력증폭기는 0.18 μm CMOS 공정을 이용하여 설계되었으며, 10 MHz의 대역폭 및 7.2 dB 첨두 전력 대 평균 전력비(PAPR)의 특성을 갖는 LTE up-link 신호를 이용하여 측정되었다. 제작된 전력증폭기 모듈은 평균 전력 24.3 dBm에서 34.2 %의 전력부가효율(PAE) 및 -30.1 dBc의 인접 채널 누설비(ACLR), 그리고 24.4 dB의 전력 이득을 갖는다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 설계 및 시뮬레이션
Ⅲ. 제작 및 측정 결과
Ⅳ. 결론
References

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