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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정소영 (한남대학교) 성인하 (한남대학교)
저널정보
한국트라이볼로지학회 Tribology and Lubricants 한국윤활학회지 제34권 제6호
발행연도
2018.12
수록면
279 - 283 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2018

다수의 연마입자를 고려한 CMP 공정의 Stick-Slip 고찰
정소영 ,  성인하 Tribology and Lubricants 2018.12 학술저널

2014

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초록· 키워드

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In this study, we investigate the behavior of abrasive particles and change of the stick-slip pattern according to chemical mechanical polishing (CMP) process parameters when a large number of abrasive particles are fixed on a pad. The CMP process is simulated using the finite element method. In the simulation, the abrasive grains are composed of those used in the actual CMP process. Considering the cohesion of the abrasive grains with the start of the CMP process, abrasive particles with various sizes are fixed onto the pad at different intervals so that stick-slip could occur. In this analysis, we determine that when the abrasive particle size is relatively large, the stick-slip period does not change as the pressure increases while the moving speed is constant. However, if the size of the abrasive grains is relatively small, the amount of deformation of the grains increases due to the elasticity of the pad. Therefore, the stick-slip pattern may not be observed. As the number of abrasive particles increases, the stick-slip period and displacement decrease. This is consistent with the decrease in the von Mises yield stress value on the surface of the wafer as the number of abrasive grains increases. We determine that when the number of the abrasive grains increases, the polishing rate, and characteristics are improved, and scratches are reduced. Moreover, we establish that the period of stick-slip increases and the change of the stick-slip size was not large when the abrasive particle size was relatively small.
#chemical-mechanical-polishing(기계화학적 연마) #stick-slip(스틱-슬립) #surface defect(표면결함)

목차

Abstract
1. 서론
2. 연구방법 및 내용
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (10)

참고문헌 신청
Kim, H. J., Effect of brush treatment and brush contact sequence on cross contaminated defects during CMP in-situ cleaning, J. Korean Soc. Tribol. Lubr. Eng., Vol. 31, No. 6, pp. 239-244, 2015. Park, S., Im, S., Lee, H., Effect of pressure on edge delamination in chemical mechanical polishing of SU-8 film on silicon wafer, J. Korean Soc. Tribol. Lubr. Eng., Vol. 33, No. 6, pp. 282-287, 2017. Wang, Y. G., Zhang, L. C., Biddut, A., Chemical effect on the material removal rate in the CMP of silicon wafers, Wear, Vol. 270, No. 3-4, pp. 312- 316, 2011. Kwon, T.-Y., Cho, B.-J., Ramachandran, M., Busnaina, A, A., Park, J.-G., Investigation of source-based scratch formation during oxide chemical mechanical planarization, Tribol, Lett., Vol. 50, No. 2, pp. 169- 175, 2013. Kim, H.-J., Yang, J. C., Yoon, B. U., Lee, H.-D., Kim, T. S., Nano-scale stick-slip friction model for the chatter scratch generated by chemical mechanical polishing process, J. Nanosci. Nanotechnol., Vol. 12, No. 7, pp. 5683-5686, 2012.

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