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논문 기본 정보

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저자정보
김현민 (서울대학교) 김시현 (서울대학교) 박병국 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2018년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2018.6
수록면
157 - 160 (4page)

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In this paper, the characteristics according to the channel junction condition between n- and p-type layers of the thyristor random access memory (TRAM) is investigated by using technology computer aided design (TCAD) simulation. Simulation studies are performed with the TRAM having a vertical polycrystalline silicon (poly-Si) channel. From the simulation results, the TRAM device has the on/off current ratio (>10<SUP>4</SUP>) reduced by 3 orders compared with the results without BTBT effect, and it is confirmed that fast write speed (< 8 ns) and non-destructive read operation are maintained.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론
참고문헌

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