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Woojin Chang (Electronics and Telecommunications Research Institute) Haecheon Kim (Electronics and Telecommunications Research Institute) Byoung-Gyu Min (Electronics and Telecommunications Research Institute) Ho-Kyun Ahn (Electronics and Telecommunications Research Institute) Jae-Won Do (Electronics and Telecommunications Research Institute) Kyu Jun Cho (Electronics and Telecommunications Research Institute) Dong-Min Kang (Electronics and Telecommunications Research Institute) Hong-Gu Ji (Electronics and Telecommunications Research Institute) Sung-Il Kim (Electronics and Telecommunications Research Institute) Sang-Heung Lee (Electronics and Telecommunications Research Institute) Jong-Min Lee (Electronics and Telecommunications Research Institute) Dong-Young Kim (Electronics and Telecommunications Research Institute) Hyung-Sup Yoon (Electronics and Telecommunications Research Institute) Sung-Jae Chang (Electronics and Telecommunications Research Institute) Yoo-Jin Jang (Electronics and Telecommunications Research Institute) Jong-Won Lim (Electronics and Telecommunications Research Institute)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2018년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2018.6
수록면
119 - 122 (4page)

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In this paper, we demonstrated a K-/Ka-band monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifier (PA) designed and fabricated using a AlGaN/GaN 0.15 μm hetero-structure field effect transistor (HFET) on SiC technology. Lange couplers and 2-way combiners were used for combining GaN HFETs and stages of the PA circuit. Especially, six Lange couplers in the PA MMIC were applied for wideband amplification of the PA MMIC. Microstriplines and open-stubs were used for matching circuits, except for MIM capacitors acting as DC blocks in the PA MMIC. In each bias circuit of the PA, two MIM capacitors were used for less vulnerable characteristics of the PA to lengths and diameters of bonding wires. The PA has been achieved a 3 dB bandwidth of 12 GHz, a gain, S21, of 7.8~10.7 dB, an input reflection coefficient, S11, of - 22~-10 dB and an output reflection coefficient, S22, of -41~-12 dB for 20~32 GHz. And also a saturated output power of 31.2 dBm was achieved at 28 GHz.
#PA #MMIC #K-band #Ka-band #GaN HFET

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DESIGN OF K-/KA-BAND PA MMIC
III. MEASUREMENTS
IV. CONCLUSION
REFERENCES

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