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저자정보
홍경림 (한국기술교육대학교 에너지신소재화학공학부) 이규만 (한국기술교육대학교 에너지신소재화학공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제18권 제3호
발행연도
2019.1
수록면
7 - 11 (5page)

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We have investigated the effect of the hydrogen flow rate on the characteristics of IZO thin films for the TCO (transparent conducting oxide). For this purpose, IZO thin films are deposited by RF magnetron sputtering at $300^{\circ}C$ with various $H_2$ flow rate. To investigate the influences of the ambient gases, the flow rate of hydrogen in argon was varied from 0.1 sccm to 1 sccm. The IZO thin films deposited at $300^{\circ}C$ show crystalline structure having an (222) preferential orientation. The electrical resistivity of the crystalline-IZO films deposited at $300^{\circ}C$ and hydrogen gas of 0.8sccm was $3.192{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, the lowest value. As the hydrogen gas flow rate increased, the resistivity tended to decrease. The XPS profiles showed that the number of oxygen vacancy decreased as the hydrogen flow rate increased. The transmittance of the IZO films deposited at $300^{\circ}C$ were showed more than 80%.

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