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Fangxu Lv (Air Force Engineering University) Xuqiang Zheng (Tsinghua University) Feng Zhao (Liverpool John Moores University) Jianye Wang (Tsinghua University) Ziqiang Wang (Tsinghua University) Shuai Yuan (Tsinghua University) Yajun He (Tsinghua University) Chun Zhang (Tsinghua University) Zhihua Wang (Tsinghua University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.2
발행연도
2018.4
수록면
270 - 280 (11page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.2.270

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This paper presents a 2-40 Gb/s dual-mode wireline transmitter supporting the four-level pulse amplitude modulation (PAM4) and non-return-tozero (NRZ) modulation with a multiplexer (MUX)-based two-tap feed-forward equalizer (FFE). An edgeacceleration technique is proposed for the 4:1 MUX to increase the bandwidth. By utilizing a dedicated cascode current source, the output swing can achieve 900 mV with a level deviation of only 0.12% for PAM4. Fabricated in a 65-nm CMOS process, the transmitter consumes 117 mW and 89 mW at 40 Gb/s in PAM4 and NRZ at 1.2 V supply.
#Four-level pulse amplitude modulation (PAM4) #non-return-to-zero (NRZ) #edge-acceleration technique #linearity optimization #dual-mode wireline transmitter

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. PROPOSED NRZ/PAM4 DUAL-MODE TRANSMITTER
III. CRUCIAL CIRCUIT BLOCKS
IV. MEASUREMENT RESULTS
V. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (24)

참고문헌 신청
A. A. Hafez et al., “A 32-48 Gb/s serializing transmitter using multiphase serialization in 65 nm CMOS technology,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 50, no. 3, pp. 763-775, Mar. 2015. M.-S. Chen and C.-K. K. Yang, “A 50-64 Gb/s serializing transmitter with a 4-tap, LC-ladderfilter- based FFE in 65 nm CMOS technology,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 50, no. 8, pp. 1903-1916, Aug. 2015. Y. Frans et al., “A 40-to-64 Gbps NRZ transmitter with supply-regulated front-end in 16nm FinFET,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 51, no. 12, pp. 3167-3177, Dec. 2016. A. Nazemi et al., “A 36Gb/s PAM4 transmitter using an 8b 18GS/s DAC in 28nm CMOS,” in Proc. IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Dig. Tech. Papers, pp. 58-59, 2015. K. Gopalakrishnan et al., “A 40/50/100Gb/s PAM- 4 Ethernet transceiver in 28nm CMOS,” in Proc. IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Dig. Tech. Papers, pp. 62-63, 2016.

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