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Sae-Wan Kim (Kyungpook National University) In-Su Jung (Kyungpook National University) Byoung-Ho Kang (SINOKOR) Jin-Beom Kwon (Kyungpook National University) Jae-Sung Lee (Kyungpook National University) Sang-Won Lee (Kyungpook National University) Ok-Sik Kim (Kyungpook National University) Ju-Seong Kim (Kyungpook National University) Jin-Hyuk Bae (Kyungpook National University) Shin-Won Kang (경북대학교)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.2
발행연도
2018.4
수록면
180 - 186 (7page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.2.180

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In this study, we propose an organic memory device using CdSe/ZnS quantum dots (QDs) and a pentacene blending solution as a charge storage layer with a one-step process. The QDs were localized without any tunneling insulators and were used as hole-trapping sites. Moreover, the QDs and pentacene blending solution formed a type II junction, assisting in the facilitation of energy band bending. The band bending inhibited the back-injection of the holes trapped in the CdSe (core of QDs) into an electrode, thereby developing a hysteretic I-V response during device operation. The synthesized QDs had a photoluminance peak at 535 nm (Green QDs). The fabricated memory device had a structure of <ITO/PVP /CdSe-ZnS QDs @pentacene/Al> and exhibited current differences (approximately 300 times the ON/OFF ratio) at 0.5 V. The device was fabricated using the spin-coating method. The write voltage was approximately 2.5 V. The erasing process was performed by applying a voltage of approximately −4V. In addition, the stored charge retained its initial value even after 150 h and the write voltage was maintained after 200 write/erase cycles; the long retention time and high durability will be advantageous for future applications of nonvolatile memory.
#CdSe/ZnS quantum dots #nonvolatile memory #type II junction #quantum confinement effect #polyvinylpyrrolidone (PVP) #pentacene

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL DETAILS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (9)

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B. H. Kang, J. S. Seo, S. H. Jeong, J. H. Lee, C. S. Han, D. E. Kim, K. J. Kim, S. H. Yeom, D. H. Kwon, H. R. Kim, S. W. Kang, “Highly efficient hybrid light-emitting device using complex of CdSe/ZnS quantum dots embedded in co-polymer as an active layer,” Optics Express, Vol. 18, No. 17, pp. 18303-18311, Aug., 2010. J. H. Bang, and P. V. Kamat, “CdSe quantum dotfullerene hybrid nanocomposite for solar energy conversion: electron transfer and photoelectrochemistry,” ACS Nano, Vol. 5, No. 12, pp. 9421- 9427, Nov., 2011. D. Blauwe, “Nanocrystal nonvolatile memory devices,” J. IEEE Trans. Nanotechnology, Vol. 1, No. 1, pp. 72-77, Mar., 2002. S. J. Kim, Y. S. Park, S. H. Lyu, and J. S. Lee, “Nonvolatile nano-floating gate memory devices based on pentacene semiconductors and organic tunneling insulator layers,” Applied Physics Letters, Vo. 96, pp. 033302, Jan., 2010. Y. Tian, T. Newton, N. A. Kotov, D. M. Guldi, and J. Fendler, “Coupled composite CdS-CdSe and Core-Shell Types of (Cds)CdSe and (CdSe)CdS Nanoparticles,” J. Chem. Phys, Vo. 100, No. 21, pp. 8927-8939, May, 1996.

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