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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
정현아 (한국항공대학교) 황진영 (한국항공대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2018년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2018.6
수록면
66 - 69 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2020

제 2형 InP/InGaP 양자점을 적용한 향상된 성능을 가지는 광 트랜지스터
정현아 ,  황진영 대한전자공학회 학술대회 2020.08 학술대회자료

2019

InP/InGap 양자점의 크기에 따른 제 1형에서 제 2형으로의 밴드 정렬 변화
정현아 航空電子情報通信學科 2019.01 학위논문

2018

InP/InGaP 양자점의 크기에 따른 제1형에서 제2형으로의 밴드 정렬 변화
정현아 ,  황진영 대한전자공학회 학술대회 2018.06 학술대회자료

초록· 키워드

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Band alignment transition from type I to type II of InP/In0.48Ga0.52P quantum dots (QDs) is observed by modifying the geometrical factors of the dome-shaped QDs. Strain distribution in InP/InGaP QD is calculated using a valence force field (VFF) model. With the strain Hamiltonian from the VFF model, electrical structures of the QDs are obtained using 8-band k.p model. The results from the theoretical study show that the band alignment of the InP/In0.48Ga0.52P QDs can be tailored from type I to type II by controlling the size of the QDs, and flat valence band can be achieved at certain values of height and width of the QDs. In addition, InP/In0.48Ga0.52 QDs of various sizes with the same effective bandgap but different band alignment are observed.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 구현
IV. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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