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Reduction of Breakdown Voltage in I-MOS Devices
대한전자공학회 학술대회
2006 .06
Characterization and Design Consideration of I-MOS Devices
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2006 .07
RF 캐패시턴스-전압 곡선의 고온 종속성 분석
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
Submicron MOS Devices
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
Capacitance-Voltage 방법을 이용한 MOSFET의 유효 채널 길이 추출
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
MOS 소자의 특성에 어닐링 방법이 미치는 영향 ( Effects of Annealing Method in MOS Devices Properties )
대한전자공학회 학술대회
1987 .05
Accuracy Analysis of Extraction Methods for Effective Channel Length in Deep-Submicron MOSFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2011 .06
MOS 구조의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1986 .07
동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )
전자공학회지
1985 .07
Buried Channel MOS 구조를 이용한 표면생성속도 측정 방법 ( A Surface Generation Velocity Measurement Technique Using the Buried Channel MOS Structure )
전자공학회논문지-A
1992 .07
전자 빔 주사를 적용한 미세 패턴의 capacitance 측정방안
대한기계학회 춘추학술대회
2012 .04
P-channel MOS Amplifier의 설계 및 제작 ( Design and Fabrication of a P-channel MOS Amplifier )
대한전자공학회 학술대회
1980 .01
Determination of the number of MoS₂ layers by using a scanning electron microscope
대한기계학회 춘추학술대회
2019 .02
MOS Capacitor의 C-V 곡선에 미치는 광의 영향
대한전자공학회 학술대회
1983 .11
D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
ZnO에서 질소 불순물에 의한 p-type Capacitance
전기학회논문지
2012 .06
A Unified Capacitance-Voltage Model of MOSFET
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
MIS Capacitance Model Structure을 이용한 HfInZnO Thin Film Transistors의 Capacitance-Voltage 특성분석
대한전자공학회 학술대회
2011 .06
MOS Processing
대한전자공학회 단기강좌
1982 .01
Control of In-Plane Vehicle Body Motions Using Aerodynamic Devices
Vibration Conference
1997 .11
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