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저자정보
고봉혁 (한국외국어대학교) 김주영 (한국외국어대학교) 최민권 (한국외국어대학교) 이성현 (한국외국어대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2010년 하계종합학술대회
발행연도
2010.6
수록면
479 - 480 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2010

고온 종속 RF MOSFET 캐패시턴스-전압 곡선 추출 및 모델링
고봉혁 ,  이성현 전자공학회논문지-SD 2010.10 학술저널
RF 캐패시턴스-전압 곡선의 고온 종속성 분석
고봉혁 ,  김주영 ,  최민권 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료
RF 캐패시턴스-전압 곡선의 고온 종속성 분석
고봉혁 ,  김주영 ,  최민권 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료

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The RF Capacitance-Voltage MOSFET curve extracted from measured S-parameters in the range of ㎓ has been analyzed at high temperatures up to 225℃. It is observed that the voltage shift according t ... 전체 초록 보기

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-569-003169585