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한국산학기술학회 한국산학기술학회 학술대회논문집 한국산학기술학회 2004년도 추계학술발표대회 논문집
발행연도
2004.11
수록면
195 - 198 (4page)

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실리콘 산화막 위에 구리 확산 방지막으로서 W-N 박막을 NH₃ 펄스 플라즈마를 이용한 원자층 증착방법으로 형성하였다. 플라즈마 원자층 증착방법 (PPALD)은 일반적인 원자층 증착방법 (ALD)의 성장 기구를 그대로 따라 간다. 그러나 일반적인 ALD 방법에 의해 증착한 W-N 박막에 비해 PPALD 방법으로 증착한 W-N 박막은 F 함유량과 비저항이 감소하였고 열적 안정성에 대한 특성도 향상되었다. 또한 WF₆ 가스는 실리콘 산화막과 반응을 하지 않기 때문에 WF₆ 가스와 NH₃ 가스를 사용해서 ALD 증착방법으로 실리콘 산화막 위에 W-N 박막을 증착하기 어려운 문제점[8,9]을 NH₃ 반응종으로 실리콘 산화막 표면을 먼저 변형시켜 WF₆ 가스가 산화막과 반응을 할 수 있게 함으로써 ALD 방법으로 W-N 박막을 실리콘 산화막 위에 증착할 수 있었다.

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