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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.5
- 수록면
- 2,241 - 2,248 (8page)
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본 논문에서는 고출력 및 고효율 특성을 지니는 질화갈륨(gallium nitride, GaN) 고출력 트랜지스터 소자를 이용하여 WiMAX 및 LTE(long term evolution) 시스템에 사용 가능한 60watt급 고출력증폭기 모듈을 팔렛트(palette) 타입으로 개발한 결과에 대하여 기술한다. 높은 이득을 얻기 위한 라인업(lineup) 구성을 위해 저전력이면서 고이득을 지니는 전치증폭단, 8watt급의 GaN 구동증폭단, 그리고 30watt급 GaN 소자 2개를 도허티(doherty) 구조로 구성한 60watt 고출력증폭단을 사용하였으며, 이로부터 2.5~2.68GHz에서 61.4dB의 이득과 ±0.075dB의 우수한 이득 평탄도를 얻었다. 특히 구동단과 고출력증폭단은 고효율 및 고출력 특성의 GaN 소자를 사용하였고, 또한 추가적인 효율 개선 을 위해 도허티 구조를 적용함으로써 보다 높은 효율을 가지도록 하였다. 현재 전 세계적으로 널리 사용되고 있는 WiMAX 신호를 사용하여 제작된 팔렛트 타입의 증폭기 모듈의 성능을 측정하였는데, RRH(remote radio head) 타입 으로 구성된 사용 예에서 WiMAX 변조 신호 10watt 출력 기준으로 약 37~38%의 효율을 나타내었다. 제작된 증폭기 모듈을 디지털 전치왜곡기(digital predistorter, DPD)와 연동하여 시험한 결과 WiMAX 변조 신호 10watt 출력에서 ACLR은 46dBc 이상의 특성을 지닌다.
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참고문헌 (8)
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1. [학술지(정기간행물)] - W. Nagy / 2005 / 150W GaN-on-Si RF Power Transistor / IEEE MTT-S Digest : 483 ~ 486
2. [학술대회논문] - Singhal, S / 2002 / Gallium Nitride on silicon HEMTs for wireless infrastructure applications, thermal design and performance / Proceedings of European Microwave Week
3. [보고서] - 이상학 / 2003 / 질화갈륨 소재 및 소자관련 기술동향
4. [학술지(정기간행물)] - 오성민 / 2008 / 질화갈륨 고출력 트랜지스터 패키지의 성능 최적화 / 한국산학기술학회논문지 9 (3) : 649 ~ 657
5. [학술지(정기간행물)] - 박천선 / 2008 / 질화갈륨소자를 이용한 5Watt급 전력증폭기 모듈 / 한국산학기술학회논문지 9 (5) : 1193 ~ 1200
2. [학술대회논문] - Singhal, S / 2002 / Gallium Nitride on silicon HEMTs for wireless infrastructure applications, thermal design and performance / Proceedings of European Microwave Week
3. [보고서] - 이상학 / 2003 / 질화갈륨 소재 및 소자관련 기술동향
4. [학술지(정기간행물)] - 오성민 / 2008 / 질화갈륨 고출력 트랜지스터 패키지의 성능 최적화 / 한국산학기술학회논문지 9 (3) : 649 ~ 657
5. [학술지(정기간행물)] - 박천선 / 2008 / 질화갈륨소자를 이용한 5Watt급 전력증폭기 모듈 / 한국산학기술학회논문지 9 (5) : 1193 ~ 1200
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