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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제10권 제6호
발행연도
2009.6
수록면
1,175 - 1,179 (5page)

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본 논문은 대전입자형 디스플레이의 입자층과 상판과 하판의 전극간격(cell gap)으로 전압특성을 분석하여 에이징 전압 인가 전, 후의 응답속도를 측정하였다. 입자층이 증가할수록 비례하여 문턱/구동/항복 전압이 증가하였고 응답속도는 켈러입자와 검정입자의 q/m값의 차이로 문턱/항복 전압보다 구동전압에서의 응답속도가 빠른 것을 확인하였다. 응답속도는 레이저와 포토다이오드를 이용하여 광학특성으로 측정하였고 입자의 뭉침현상은 aging공정으로 최소화 하였다. 아직까지 대전입자형 디스플레이의 응답속도와 문턱/구동/항복 전압 및 입자주입층, cell gap, aging공정에 관하여 보고된 바 없으며 이에 상관관계를 평가하고 영향을 분석하였다.

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