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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.8
- 수록면
- 738 - 742 (5page)
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능동형 평판디스플레이 소자를 제작하기 위해 수소화된 비정질 규소 박막트랜지스터 (a-Si:H TFT)의 상부에 화소전극올 형성하는 과정에 띠른 TFT의 특성 변화를 연구하였다. 화소전극 형성 전에 1 ㎀ 수준의 오프상태 전류 및 10<sup>6</sup> 이상의 스위칭률을 보이던 TFT에 화소전극 공정을 행하면 오프상태 전류가 10 ㎀이상으로 증가하여 소자특성이 악화되었다. 이러한 소자특성의 악화는 SiNx 보호막 표면의 플라즈마 처리로 개선될 수 있었는데， 특히 N₂ 플라즈마가 좋은 결과를 보였다. 화소전극 공정에 의해서 누설전류가 증가하는 것은 투명전도막 증착공정 중에 SiNx 보호막 표변에 전하가 축적되어 이에 유도되는 백채널의 캐리어 축적에 기인하는 것으로 추정된다.
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참고문헌 (15)
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1. [학술지(정기간행물)] - C. C. Wu / 1997 / Integration of Organic LED’s and Amorphous Si TFT’s onto Flexible and Lightweight Metal Foil Substrates / Electron Device Lett : 609 ~ 612
2. [학술지(정기간행물)] - Y. He / 2000 / Current-Source a–Si:H Thin-Film Transistor Circuit for Active-Matrix Organic Light-Emitting Displays / IEEE Electron Device Lett : 590 ~ 592
3. [학술지(정기간행물)] - J. Lee / 2005 / A New a-Si:H TFT Pixel Circuit Compensating the Threshold Voltage Shift of a-Si:H TFT and OLED for Active Matrix OLED / IEEE Electron Device Lett : 897 ~ 899
4. [단행본] - R. A. Street / 1991 / Hydrogenated Amorphous Silicon / Cambridge University Press : 375 ~
5. [단행본] - C. Van Berkel / 1992 / Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices Volume II Materials and Device Physics / Artech House : 412 ~
2. [학술지(정기간행물)] - Y. He / 2000 / Current-Source a–Si:H Thin-Film Transistor Circuit for Active-Matrix Organic Light-Emitting Displays / IEEE Electron Device Lett : 590 ~ 592
3. [학술지(정기간행물)] - J. Lee / 2005 / A New a-Si:H TFT Pixel Circuit Compensating the Threshold Voltage Shift of a-Si:H TFT and OLED for Active Matrix OLED / IEEE Electron Device Lett : 897 ~ 899
4. [단행본] - R. A. Street / 1991 / Hydrogenated Amorphous Silicon / Cambridge University Press : 375 ~
5. [단행본] - C. Van Berkel / 1992 / Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices Volume II Materials and Device Physics / Artech House : 412 ~
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