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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제7권 제1호
발행연도
2006.2
수록면
7 - 11 (5page)

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SCM (Scanning Capacitance Method)를 이용하여, SCM 팀의 전계에 의해 형성되는 실리콘내의 공핍영역를 분석할 수 있는 방법론을 구축하였다. 2차원 유한요소법을 이용하여 SCM으로 측정된 결과로부터 불순물의 농도를 도출할 수 있었다. 이 방법은 캐패시턴스, 공핍화된 제적 및 바이어스에 따른 캐패시턴스의 변화율로부터 구해진다. 본 연구에서는 팀의 크기, 산화층 두께 및 가해지는 바이어스에 따른 공핍 전하와 전위에 따른 영향 등을 분석하였다.

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[학술지(정기간행물)] - A.C.Diebold / 1994 / Proc.- Electrochem. Soc 33 : 78 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - R.Subrahmanyan / 1992 / J. Vac. Sci. Technol B10 : 358 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - J.J.Jopanski / 1996 / J. Vac. Sci. Technol B 14 : 242 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - Y.Huang / 1994 / J. Vac. Sci. Technol B 12 : 369 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - Y.Huang / 1995 / Appl. Phys. Lett. 66 : 344 ~ google schola

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