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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.9
- 수록면
- 177 - 182 (6page)
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Flash memory는 device 특성상 peripheral circuit을 구성하는 transistor의 종류가 다양하고, 이에 따른 각 transistor 의 동작 전압 영역이 넓다. 이에 따라 설계 초기의 전기적 특성 사양 결정을 위해서는， 실리콘상에서 소자의 scale down에 따른 전기적 특성을 선 검증하는 과정이 필수적이었으며, 이로 인해 설계 및 소자 개발의 기간을 단축하기 어려웠다. 본 연 구에서는 TCAD tool을 사용하여 실리콘상에서의 제작 공정을 거치지 않고, 효과적으로 model parameter를 생성할 수 있도록 하는 방법을 제안하여 전기적 특성 사양 결정과 설계 단계의 시간 지연을 감소할 수 있도록 한다. 또한 성공적 TCAD tool 적용을 위해 필요한 process/device simulator의 calibration methodology와 이를 flash 메모리 소자에 대해 적용 검증한 결과를 분석한다.
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