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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Chul Woo Byeon (Wonkwang University) Chul Soon Park (KAIST)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.3
발행연도
2017.6
수록면
341 - 346 (6page)

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In this paper, we present a 60 ㎓ on-off keying (OOK) modulator in a 90 ㎚ CMOS. The modulator employs a current-reuse technique and a switching modulation for low DC power dissipation, high on/off isolation, and high data rate. The measured gain of the modulator, on/off isolation, and output 1-㏈ compression point is 9.1 ㏈, 24.3 ㏈, and 5.1 ㏈m, respectively, at 60 ㎓. The modulator consumes power consumption of 18 ㎽, and is capable of handling data rates of 8 Gb/s at bit error rate of less than 10<SUP>-6</SUP> for 2<SUP>31</SUP>-1 PRBS over a distance of 10-㎝ with an OOK receiver module.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. CIRCUIT DESIGN
Ⅲ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (15)

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