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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.2
- 발행연도
- 2017.4
- 수록면
- 252 - 259 (8page)
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In this paper, we propose a novel method for extracting an accurate depth of a trap that causes RTS(Random Telegraph Signal) noise. The error rates of the trap depth rely on the mean time constants and its ratio. Here, we determined how many data of the capture and emission time constant are necessary in order to reduce the trap depth error caused by an inaccurate mean time constant. We measured the capture and emission time constants up to 100,000 times in order to ensure that the samples had statistical meaning. As a result, we demonstrated that at least 1,000 samples are necessary to satisfy less than 10% error for trap depth. This result could be used to improve the accuracy of RTS noise analysis.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. THEORETICAL CONSIDERATIONS
III. EXPERIMENT AND ALGORITHM
IV. RESULTS AND DISCUSSION
V. COMPARISON BETWEEN PROPOSED METHOD AND CONVENTIONAL METHOD
VI. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
참고문헌 (21)
참고문헌 신청
V. Haartman, et al., “Low-Frequency Noise in Advanced MOS Devices,” Springer Science & Business Media, 2007.
F. N. Hooge, et al., “Experimental Studies on 1/f Noise,” Reports on Progress in Physics, Vol.44, No. 5, pp.479-532, 1981.
C. Leyris, et al., “Impact of Random Telegraph Signal in CMOS Image Sensors for Low-Light Levels,” Solid-State Circuits Conference, 2006. ESSCIRC 2006. Proceedings of the 32nd European. IEEE, pp.376-379, Sept., 2006.
S. Balatti, et al., “Voltage-Dependent Random Telegraph Noise (RTN) in HfO x Resistive RAM,” Reliability Physics Symposium (IRPS), 2014 IEEE International, pp.MY.4.1-MY.4.6, Jun., 2014.
E. Simoen, et al., “Low-Frequency Noise of Advanced Memory Devices,” Noise and Fluctuations (ICNF), 2015 International Conference on. IEEE, pp.1-6, Jun., 2015.
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