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학술저널
저자정보
정상훈 (한국원자력연구원) 이남호 (한국원자력연구원) 이민웅 (한국원자력연구원) 조성익 (전북대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제66권 제3호
발행연도
2017.3
수록면
540 - 544 (5page)

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In this study, we analyzed the effects of TID(Total Ionizing Dese) and TREE(Transient Radiation Effects on Electronics) on nMOSFET and pMOSFET fabricated by 0.18um CMOS process. The size of nMOSFET and pMOSFET is 100um/1um(W/L). The TID test was conducted up to 1 Mrad(Si) with a gamma-ray(Co-60). During the TID test, the nMOSFET generated leakage current proportional to the applied dose, but that of the pMOSFET was remained in a steady state. The TREE test was conducted at TEST LINAC in Pohang Accelerator Laboratory with a maximum dose-rate of 3.16×10<SUP>8</SUP>rad(Si)/s. In that test nMOESFET generated a large amount of photocurrent at a maximum of 3.16 × 10<SUP>8</SUP>rad(si)/s. Whereas, pMOSFETs showed high TREE immunity with a little amount of photocurrent at the same dose rate. Based on the results of this experiment, we will progress the research of the radiation hardening for CMOS unit devices.

목차

Abstract
1. 서론
2. 방사선 시험용 CMOS 0.18um 단위소자
3. CMOS 단위소자 TID 시험
4. CMOS 단위소자 TREE 시험
5. 결론
References

참고문헌 (12)

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