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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.6
- 수록면
- 177 - 180 (4page)
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본 연구에서는 4H-SiC(0001)기판 위에서 형성되는 나노구조화를 제어하기 위해 상지층과 하지층으로 구성된 이중층 금속을 증착하고 두께, 열처리 시간을 변화하였다. 또한 표면에너지와 응집현상의 상관관계를 분석하기 위해 SiC와는 다른 표면에너지를 갖는 Glass와 Si기판에도 같은 조건으로 실험하였다. FE-SEM을 통하여 금속이 나노구조화를 형성하는 두께가 Ag=20nm, Ti=2nm임을 확인 했으며 두께가 두꺼울 수록 나노 입자가 형성되지 않았다. 세기판의 표면에너지를 구하기 위해 접촉각 측정기를 통해 정접촉각법으로 측정하였다. 그 결과 표면에너지 값이 가장 높은 Glass(53.89 mN/m) 기판에서 나노 입자가 가장 고르게 분포된 형태를 보였으며 SiC(41.13 mN/m)에서 나노구조화 되는 양상을 보였고, Si(32.96 mN/m)에서는 NPs 형성이 되지 않았다. 표면에너지가 작을수록 나노 입자형성이 고르게 분포되는 현상을 Young equation으로 분석하였다.
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[학술지(정기간행물)] - Liu X / 2005 / Band engineering of carbon nanotube field-effect transistors via selected area chemical gating / Appl Phys Lett 86 (24)
[학술지(정기간행물)] - Mohit Bhatnagar / 1993 / Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for Power Devices / IEEE Transactions on Electron devices 40 (3)
[학술지(정기간행물)] - Rongchao Jin / 2003 / What controls the melting properties of DNA-Linked Gold Nanoparticle Assemblies? / J. AM. CHEM. SOC 125 (6)
[학술지(정기간행물)] - Trent H. Galow / 2002 / Highly reactive heterogeneous Heck and hydrogenation catalysts constructed through bottom-up nanoparticle self-assembly / Chemical Communications
[학술지(정기간행물)] - 이태섭 / 2014 / Ni/CNT/SiO2 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터의 전기적 특성 / 전기전자학회논문지 18 (4) : 620 ~ 624
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