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소자의 집적화에 필수적인 소자 분리공정에서 화학약품의 오염 문제등을 발생시키는 화학적 기계연마기술(CMP) 공정을 사용하지 않고 벌크 finFET(fin field effect transistor) 의 트랜치 구조를 형성할 수 있는 공정에 대하여 제안하였다. 사진 감광막 도포시 발생하는 두께차이와 희생층으로 사용되는 실리콘 질화막을 사용하면 에칭 공정만을 사용하여 상대적으로 표면 위로 돌출된 부분의 실리콘 산화막 층을 에칭하는 것은 물론 finFET 의 채널로 사용되는 실리콘 트랜치 구조를 한번에 형성할 수 있는 특징을 갖는다. 본 연구에서는 AZ1512 사진 감광막을 사용하여 50 나노미터급 실리콘 트랜치 구조를 형성하는 공정을 수행하였으며 그 결과를 소개한다.
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1. [기타자료] - Y. -L. Wang / 1997 / Effects of underlying films o nt the chemical-mechanical polishing for shllow trench isolation technology / Thin Solid Films, 308-309 : 534 ~ 549
2. [학술지(정기간행물)] - Sang-Ick Lee / 2007 / Investigation of polishing characteristics of shllow trench isolation chemical mechanical planarization with different types of slurries / Microelectronic Engineering 84 : 626 ~ 630
3. [학술지(정기간행물)] - Yair Ein-Eli / 2007 / Review on copper chemical-mechanical polishing(CMP)and post-CMP cleaning in ultra large system integrated(ULSI)-An electrochemical perspective / Electrochimica Acta 52 : 1825 ~ 1838
4. [학술지(정기간행물)] - Xuejue Huang / 2001 / Sub-50 nm P-channel FinFET / IEEE Transactions on Electron Devices 48 (5) : 880 ~ 886
5. [학술지(정기간행물)] - Yang-Jyu Choi / 2002 / Spacer FinFET : nanoscale double-gate CMOS technology for the terabit era / Solid State Electronics 46 : 1595 ~ 1601
2. [학술지(정기간행물)] - Sang-Ick Lee / 2007 / Investigation of polishing characteristics of shllow trench isolation chemical mechanical planarization with different types of slurries / Microelectronic Engineering 84 : 626 ~ 630
3. [학술지(정기간행물)] - Yair Ein-Eli / 2007 / Review on copper chemical-mechanical polishing(CMP)and post-CMP cleaning in ultra large system integrated(ULSI)-An electrochemical perspective / Electrochimica Acta 52 : 1825 ~ 1838
4. [학술지(정기간행물)] - Xuejue Huang / 2001 / Sub-50 nm P-channel FinFET / IEEE Transactions on Electron Devices 48 (5) : 880 ~ 886
5. [학술지(정기간행물)] - Yang-Jyu Choi / 2002 / Spacer FinFET : nanoscale double-gate CMOS technology for the terabit era / Solid State Electronics 46 : 1595 ~ 1601
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