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본 논문에서는 파워 클램프에 적용하기 위한 SCR 기반의 ESD 보호회로를 제안하였다. 기존 SCR 구조의 낮은 홀딩 전압에 의한 래치-업 문제를 개선하기 위해 n+ 플로팅 영역을 삽입하고 추가적인 n-웰과 p-웰까지 확장된 p+ 캐소드 영역을 통해 높은 홀딩 전압을 가질 수 있도록 고안되었다. 제안된 ESD 보호회로는 높은 홀딩 전압을 통해 정상 동작 상태에서의 래치-업 면역 특성을 확보하였으며, 우수한 ESD 보호 능력을 가진다. 제안된 ESD 보호회로는 Synopsys사의 TCAD 시뮬레이션을 통해 전기적 특성을 검증하였다. 시뮬레이션 결과, 트리거 전압은 약 27.3 V에서 최대 32.71 V 사이에서 변화하는 반면, 홀딩 전압은 4.61 V에서 최대 8.75 V까지 상승하는 것을 확인하였다. 따라서 제안된 ESD 보호회로는 트리거 전압은 기존 SCR과 비슷한 수준을 유지하면서 높은 홀딩 전압을 갖는다.
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1. [학술지(정기간행물)] - Ming-Dou Ker / 2008 / Investigation and Design of On-Chip Power-Rail ESD Clamp Circuits Without Suffering Latchup-Like Failure During System-Level ESD Test / IEEE Journal of Solid-State Circuit 43 (11) : 2533 ~ 2545
2. [단행본] - Albert Z. H. Wang / 2002 / On-Chip ESD Protection for Integrated Circuits / Springer
3. [단행본] - O. Semenov / 2008 / ESD Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies / Springer
4. [학술대회논문] - Fred G. Kouper / 2006 / Design of SCR-based ESD Protection Considerations in Advanced High-Voltage Technologies for Automotive / Proc. of the EOS/ESD Symp : 54 ~ 63
5. [학술지(정기간행물)] - 김귀동 / 2005 / 새로운 구조의 나노급 ESD 보호소자 설계 및 제작에 관한 연구 / 전기전자학회논문지 9 (2) : 83 ~ 91
2. [단행본] - Albert Z. H. Wang / 2002 / On-Chip ESD Protection for Integrated Circuits / Springer
3. [단행본] - O. Semenov / 2008 / ESD Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies / Springer
4. [학술대회논문] - Fred G. Kouper / 2006 / Design of SCR-based ESD Protection Considerations in Advanced High-Voltage Technologies for Automotive / Proc. of the EOS/ESD Symp : 54 ~ 63
5. [학술지(정기간행물)] - 김귀동 / 2005 / 새로운 구조의 나노급 ESD 보호소자 설계 및 제작에 관한 연구 / 전기전자학회논문지 9 (2) : 83 ~ 91
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