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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.12
- 수록면
- 277 - 282 (6page)
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본 논문에서는 차세대 전력반도체인 화합물 반도체 소자중 ZnO 전력소자에 대하여 모델링을 수행하였다. 화합물 전력 반도체 소자는 와이드 밴드 갭 소자로서 열 특성이 우수해 자동차 및 계통연계형 인버터의 차세대 핵심소자로 인정받고 있다. 모델링 결과 에피 두께가 3um, 도핑농도는 일때 내압 340V 정도 얻을 수 있었으며, 관련 I-V특성 등을 평가하였다. 실제 소자로 제작된다면 300V이내의 산업 응용에 충분히 활용할 수 있을 것으로 판단된다.
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1. [학술지(정기간행물)] - Y.M / 1978 / Characteristics of Static Induction Transistors:Effects of Series Resistance / IEEE,transactions on electron devices ED-25 (7)
2. [학술지(정기간행물)] - T.Tamama / 1981 / Bipolar-Mode Transistors on a Voltage-Controlled Scheme / IEEE,Transactions on electron devices ED-28 (7)
3. [학술지(정기간행물)] - J.Wang / 1999 / A New Static Indcution Thyristor(SITh)Analytical Model / IEEE Trans.on power Electronics 14 (5)
4. [학술지(정기간행물)] - H.Tadano / 1997 / Low Loss Static Induction Devices(Transistors and Thyristors) / Microelectron.Reliab. 37 (9) : 1389 ~ 1396
5. [학술대회논문] - R. Signh / 1995 / Cryogenic Operation of Static Induction (SIT/SITh) devices / Proceedings of 1995 International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs
2. [학술지(정기간행물)] - T.Tamama / 1981 / Bipolar-Mode Transistors on a Voltage-Controlled Scheme / IEEE,Transactions on electron devices ED-28 (7)
3. [학술지(정기간행물)] - J.Wang / 1999 / A New Static Indcution Thyristor(SITh)Analytical Model / IEEE Trans.on power Electronics 14 (5)
4. [학술지(정기간행물)] - H.Tadano / 1997 / Low Loss Static Induction Devices(Transistors and Thyristors) / Microelectron.Reliab. 37 (9) : 1389 ~ 1396
5. [학술대회논문] - R. Signh / 1995 / Cryogenic Operation of Static Induction (SIT/SITh) devices / Proceedings of 1995 International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs
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