새로운 구조의 pMOS 삽입형 TIGBT의 전기적 특성 분석

이현덕; 원종일; 양일석; 구용서

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이현덕 원종일 양일석 구용서

저널정보: 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제14권 제1호

발행연도: 2010.4

수록면: 55 - 64 (10page)

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본 논문에서는 기존 TIGBT의 구조적 한계로 인한 순방향 전압강하와 스위칭 손실간의 트레이드-오프 관계를 극복하고, 좀 더 우수한 전기적 특성을 갖는 새로운 구조의 pMOS 삽입형 트렌치 TIGBT를 제안하였다. 제안된 구조는 TIGBT소자의 셀(Cell)과 셀 사이에 존재하는 폴리(poly) 게이트 영역에 pMOS를 형성시킨 구조로 n-드리프트 층으로의 전자, 정공의 주입효율을 증가시켜 기존 구조보다 더 낮은 온-저항과 빠른 스위칭 손실을 얻도록 설계된 구조이다. 시뮬레이션 결과 제안된 구조의 단일 소자인 경우 순방향 전압강하와 스위칭 특성은 각각 1.67V와 3.1us로, 기존 구조가 갖는 2.25V와 3.4us비해 각각 약 25%의 감소된 순방향 전압강하와 약 9% 감소된 스위칭 특성을 보였다.

#Power Device #Power Electronics #TIGBT #Trench Gate #Turn-off

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1. [단행본] - B.J.Baliga / 1996 / Power Semiconductor Device / PWS Pubishing Company : 446 ~ 455

2. [단행본] - T.K Khanna / 2003 / The Insulated Gate Bipolar Transistor Theory and Design / IEEE press. Wiley & Sons, INC

3. [학술지(정기간행물)] - T.Trajkovic / 1999 / Silicon MOS Controlled Bipolar Power Switching Devices Using Trench Technology / Int,J.lectronics 86 (10) : 1153 ~ 1168

4. [학술지(정기간행물)] - K.K.Ng / 1986 / Analysis of the Gate Voltage Depen dent Series Resistance of MOSFET's / IEEE Tr ans.Electron Devices ED-33 (7)

5. [학술지(정기간행물)] - 윤종만 / 1995 / JFET 효과를 감소시킨 고압용 수직형 IGBT / 전기학회 논문지 44 (23) : 303 ~ 309

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