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실리콘 기판 상에 MBE (molecular beam epitaxy)로 형성된 GaSb 기반 p-channel HEMT 소자를 제작하기 위하여 오믹 접촉 형성 공정과 식각 공정을 연구하였다. 먼저 각 소자의 절연을 위한 메사 식각 공정 연구를 수행하였으며, HF기반의 습식 식각 공정과 ICP(inductively coupled plasma)를 이용한 건식 식각 공정이 모두 사용되었다. 이와 함께 소스/드레인 영역 형성을 위한 오믹 접촉 형성 공정에 관한 연구를 진행하였으며 Ge/Au/Ni/Au 금속층 및 60초 RTA공정을 통해 의 접촉 저항을 얻을 수 있었다. 더불어 HEMT 소자의 게이트 형성을 위한 게이트 리세스 공정을 AZ300 현상액과 citric산 기반의 습식 식각을 이용하여 연구하였으며, citric산의 경우 소자 구조에서 캡으로 사용된 GaSb와 베리어로 사용된 AlGaSb사이에서 높은 식각 선택비를 보였다.
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1. [기타자료] - / 2008 / ITRS roadmap
2. [학술대회논문] - Kei May LAU / 2008 / AlInAs/GaInAs mHEMTs on Silicon Substrates Grown By MOCVD / International Electron Device Meeting : 723 ~ 726
3. [학술대회논문] - M. Radosavljevic / 2008 / High-Performance 40nm Gate Length InSb P-Channel Compressively Strained Quantum Well Field Effect Transistors for Low-Power (VCC=0.5V) Logic Applications / International Electron Device Meeting : 727 ~ 730
4. [학술지(정기간행물)] - Lott, J.A. / 1992 / Strained p-channel InGaSb/AlGaSb modulation-doped field-effect transistors / Electronics Letters 28 (15) : 1459 ~ 1460
5. [학술지(정기간행물)] - E. Paris-Polakowska / 2006 / Surface treatments of GaSb and related materials for the processing of mid-infrared semiconductor devices / Electorn Technology - Internet Journal 37 (1)
2. [학술대회논문] - Kei May LAU / 2008 / AlInAs/GaInAs mHEMTs on Silicon Substrates Grown By MOCVD / International Electron Device Meeting : 723 ~ 726
3. [학술대회논문] - M. Radosavljevic / 2008 / High-Performance 40nm Gate Length InSb P-Channel Compressively Strained Quantum Well Field Effect Transistors for Low-Power (VCC=0.5V) Logic Applications / International Electron Device Meeting : 727 ~ 730
4. [학술지(정기간행물)] - Lott, J.A. / 1992 / Strained p-channel InGaSb/AlGaSb modulation-doped field-effect transistors / Electronics Letters 28 (15) : 1459 ~ 1460
5. [학술지(정기간행물)] - E. Paris-Polakowska / 2006 / Surface treatments of GaSb and related materials for the processing of mid-infrared semiconductor devices / Electorn Technology - Internet Journal 37 (1)
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